实亿国际分立器件有哪些?封装形式介绍-KIA MOS管
实亿国际信息来源：本站 日期：2025-07-28
分立器件主要由芯片、引线/框架、塑封外壳几部分组成，其中芯片决定器件功能，诸如整流、稳压、开关、保护、放大等，引线/框架实现芯片与外部电路的连接以及热量的导出，塑封外壳则为芯片及内部结构提供保护。
分立器件的分类
基础元件
二极管：包括普通二极管（如硅/锗二极管）、稳压二极管、肖特基二极管、瞬态电压抑制二极管（TVS）等。
三极管：如NPN/PNP型双极型晶体管（BJT）、达林顿管等。
功率器件
MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）：适用于高频开关场景。
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：结合MOSFET和BJT特性，用于高压大电流场景。
晶闸管（可控硅）：包括单向/双向可控硅（SCR/Triac），用于交流调压等场景。
整流器与整流堆：如桥式整流器、高压整流堆。
特种器件及传感器
光电器件：如光耦、光敏二极管/三极管。
敏感器件：涵盖压力、磁敏（霍尔器件）、气敏、湿敏、离子敏感等传感器。
雪崩管、阶跃恢复管等特殊功能器件。
按照芯片功能的不同：
分立器件可以分为二极管、三极管、IGBT、MOSFET、晶闸管等。
按照功率、电流的不同：
分立器件可分为小信号器件和功率分立器件两大类：小信号器件为耗散功率小于1W（或者额定电流小于1A）的分立器件，而耗散功率不小于1W（或者额定电流不小于1A）的分立器件则归类为功率分立器件。按器件结构不同，功率分立器件又可分为二极管、晶体管、晶闸管等。
功率半导体分立器件中，市场对MOSFET、 IGBT以及二极管需求较大。据芯谋研究的数据，MOSFET约占功率分立器件市场份额的四成，IGBT占三成，二极管占两成，三者合计约占90%。
MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，通常被用于放大电路或开关电路，更适合中低压（<1000V）和高频应用。
IGBT由BJT和MOSFET组合而成，兼具两者优点，即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等，适用于高压（600V以上）和大电流场景。
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