逆变器应用mos,74120参数,1200v场效应管,KNK74120A参数-KIA MOS管
实亿国际信息来源：本站 日期：2025-07-25
KNK74120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流23A，采用先进平面工艺制造，极低导通电阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，低栅极电荷减少开关损耗；坚固的多晶硅栅极结构，具有高温稳定性、出色的稳定性与耐久性，广泛应用于BLDC电机驱动器、电动焊机、高效SMPS中；封装形式：TO-264，大功率、高可靠性、优良的散热性能。
漏源极电压：1200V
漏极电流：23A
栅源电压：±30V
脉冲漏电流：92A
雪崩能量单脉冲：1600MJ
最大功耗：585W
总栅极电荷：185nC
阈值电压：2.5-4.5V
输入电容：7350PF
输出电容：556PF
反向传输电容：55PF
开通延迟时间：60nS
关断延迟时间：64nS
上升时间：112ns
下降时间：100ns
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