4N60mos管现货供应商 KIA4N60 4A/600V参数 PDF文件下载-KIA 官网

信息来源：本站　日期：2018-03-21　

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KIA4N60HN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序

实亿国际 RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v

实亿国际低栅极电荷（典型的13.5nc）

高耐用性

实亿国际快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt／dt能力

产品型号：KIA4N60

工作方式：4A/600V

实亿国际漏源电压：600V

栅源电压：±30A

漏电流连续：4.0A

脉冲漏极电流：16A

雪崩电流：9.3mJ

实亿国际雪崩能量：180mJ

耗散功率：93W

实亿国际热电阻：62.5℃/W

实亿国际漏源击穿电压：600V

温度系数：0.6V/℃

实亿国际栅极阈值电压：2.0V

输入电容：500PF

实亿国际输出电容：45PF

上升时间：32ns

实亿国际封装形式：TO-251、252、220、220F、262

	KIA4N60
产品编号	KIA4N60 4A/600V
产品特征	RDS（ON）= 2.3Ω@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的13.5nc）实亿国际高耐用性实亿国际快速切换的能力雪崩能量改进的dt／dt能力
适用范围	适用功率开关应用，如开关稳压器，开关变换器，螺线管，电机驱动器，继电器驱动程序等
封装形式	TO-251、252、220、220F、262
PDF文件	【直接在线预览】
LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页总数	总6页