实亿国际KIA原厂家 KIA3414 N沟道 4.2A /20V PDF文件下载-KIA官网
信息来源：本站 日期：2018-03-13
实亿国际 KIA3414采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（on），低栅极电荷和低闸极电压为1.8v.装置操作，适用作为负荷开关或在PWM。标准KIA3414无铅产品。（符合ROHS）。KIA3414是一种绿色产品订购选项。KIA3414电相同。
VDS (V)=20V
实亿国际 ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
产品型号：KIA3414
工作方式：4.2A/20V
漏源电压：20V
栅源电压：±12A
漏电流连续：4.2A
脉冲漏极电流：15A
实亿国际 耗散功率：1.4W
热电阻：70℃/W
漏源击穿电压：20V
栅极阈值电压：-0.4V
输入电容：436PF
实亿国际 输出电容：66PF
上升时间：6.3ns
实亿国际 封装形式：SOT-23
 |
KIA3414 4.2A/20V |
| 产品编号 | KIA3414 N沟道MOSFET |
| 产品特征 |
VDS (V)=20V ID=4.2A 实亿国际 RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A) RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A) |
| 适用范围 |
适用作为负荷开关或在PWM |
| 封装形式 | SOT-23 |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | ww.kiaic.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。
关注「KIA半导体」，做优秀工程师！
长按二维码识别关注
实亿国际 阅读原文可一键关注+技术总汇
