7N65现货供应商 KIA7N65 7A/650V KIA7N65 PDF文件下载-KIA 官网
信息来源：本站 日期：2018-01-31
功率MOSFET是用起亚半先进的平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越性。开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正/基于半桥拓扑。
KIA7N65特征
RDS(on) =1.2@? VGS=10V
低栅极电荷（典型的29nc）
高耐用性
快速切换
100%雪崩测试
改进的dt／dt能力
产品型号：KIA7N65
工作方式：7A/650V
漏源电压：650V
栅源电压：±30V
漏电流连续：7.0A
脉冲漏极电流：28A
雪崩能量：230mJ
耗散功率：147W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：650V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1000 PF
输出电容：110 PF
上升时间：50 ns
封装形式：TO-220、TO-220F、TO-263
 |
KIA7N65（7A/650V） |
| 产品编号 | KIA7N65/HB/HF |
| FET极性 | N沟道MOSFET |
| 产品工艺 |
功率MOSFET是用起亚半先进的平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越性。开关性能，并承受高能量脉冲在雪崩和减刑模式。非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正/基于半桥拓扑。 |
| 产品特征 |
RDS(on) =1.2@? VGS=10V 低栅极电荷（典型的29nc） 高耐用性 快速切换 100%雪崩测试 改进的dt／dt能力 |
| 适用范围 |
主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正/基于半桥拓扑。 |
| 封装形式 | TO-220、TO-220F、TO-263 |
| PDF文件 |
 【直接在线预览】 |
| LOGO |
 |
| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | ebay1688.cn |
| PDF总页数 | 总5页 |
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C座
实亿国际
可关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”
长按二维码识别关注
