60v pmos管,3606场效应管,-60v-60a,KPD3606A参数-KIA MOS管
实亿国际信息来源：本站 日期：2025-07-28
KPD3606A P沟道场效应管漏源击穿电压-60V，漏极电流-60A，采用先进的高单元密度沟槽制造，极低导通电阻RDS（ON）11.6mΩ（典型值），最大限度地降低导通电阻，超低栅极电荷减少开关损耗；100% EAS保证，在雪崩击穿条件下稳定工作，坚固可靠，优异的CdV/dt效应下降，提高器件的抗噪声能力，绿色器件可用，广泛应用于BLDC电机驱动器、电动焊机、高效SMPS中；封装形式：TO-252，体积小、散热出色。
漏源极电压：-60V
漏极电流：-60A
栅源电压：±20V
脉冲漏电流：-170A
雪崩能量单脉冲：330MJ
最大功耗：90W
总栅极电荷：86nC
阈值电压：1-2.5V
输入电容：4640PF
输出电容：526PF
反向传输电容：240PF
开通延迟时间：20nS
关断延迟时间：100nS
上升时间：15ns
下降时间：70ns
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