实亿国际N沟道MOS管KIA3414 4.2A20V SOT-23 场效应管原厂送样-KIA MOS管
信息来源：本站 日期：2022-04-12
KIA3414采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷门极电压低至1.8V。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3414无铅（符合ROHS和Sony 259规范）。KIA3414是一款绿色产品订购选项。KIA3414在电气上是相同的。
VDS (V)=20V
ID=4.2A
RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A)
RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A)
产品型号：KIA3414
工作方式：4.2A/20V
漏源电压：20V
栅源电压：±12A
漏电流连续：4.2A
脉冲漏极电流：15A
耗散功率：1.4W
热电阻：70℃/W
漏源击穿电压：20V
栅极阈值电压：-0.4V
输入电容：436PF
输出电容：66PF
上升时间：6.3ns
封装形式：SOT-23
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KIA3414 4.2A/20V |
| 产品编号 | KIA3414 N沟道MOSFET |
| 产品特征 |
VDS (V)=20V ID=4.2A RDS(on) <50mΩ(V GS =4.5V,I D =4.2A) RDS(on) <63mΩ(V GS =2.5V,I D =3.7A) |
| 适用范围 |
适用作为负荷开关或在PWM |
| 封装形式 | SOT-23 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 厂家 | KIA原厂家 |
| 网址 | ww.kiaic.com |
| PDF总页数 | 总5页 |
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