单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管...单结晶体管有三个电极，分别称为第一基极b1、第二基极b2、发射极e。单结晶体管虽然有三个电极，但在结构上只有一个PN结，它是在一块高电阻率的N型硅基片一侧的两端...
实亿国际KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器...KCT1004M场效应管漏源击穿电压40V, 漏极电流320A ，采用先进的SGT技术，高压器件新技术，低导通电阻和低传导损耗，性能优越；极低导通电阻RDS(开启) 0.62mΩ，超...
实亿国际在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通...在电路中，MOS管的开启电压（通常指的是阈值电压）决定了MOS管从截止状态到导通状态所需的栅源电压（VGS）的最小值。对于NMOS管，当VGS大于Vth时，管子开始导通。...
场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的...场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)，有很高的输入阻抗，较大的功率增益，由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放...
实亿国际KNP2908C场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流130A ，采用KIA的先进技术制造，极...KNP2908C场效应管漏源击穿电压80V, 漏极电流130A ，采用KIA的先进技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，低栅极电荷（典型值182nC)，最大限度地减少导通损耗，...
